Samsung начала тестирование памяти HBM3E Shinebolt

Южнокорейский производитель микросхем памяти DRAM и NAND в лице Samsung работает не только над памятью V-NAND девятого поколения, массовое производство которой назначено на начало следующего года, но и над памятью HBM3E, информацией о которой поделился ресурс Business Korea.

Согласно его публикации, Samsung перешла к стадии активного тестирования своей памяти HBM пятого поколения HBM3E с кодовым наименованием Shinebolt, постепенно сокращая отставание от главного конкурента в этой сфере SK hynix. Сообщается, что новое поколение памяти будет оснащено 24-гигабайтным стеком в корпусах 8-Hi, при этом использование 12-Hi позволит производить стеки объемом 36 Гбайт.

Что касается скорости работы, она обещает увеличиться на 50% и достигнуть 1228 Тбайт/с, что несколько выше памяти конкурента SK hynix, скорость работы которой будет составлять 1.15 Тбайт/с. Предполагается, что NVIDIA хочет использовать новое поколение памяти HBM в своих будущих ускорителях для работы с искусственным интеллектом, для чего она обратилась к SK hynix, однако появление еще одного производителя этой памяти может позволить NVIDIA подписать более выгодные для себя контракты.