Samsung подтвердила выпуск NAND с более чем 300 слоями в следующем году

Конкуренция между производителями микросхем памяти NAND сейчас очень высока. Все компании, выпускающие самые современные решения для хранения данных, сейчас переходят на массовое производство нового поколения NAND, ориентированного на использование более 300 слоев. Среди таких компаний можно отметить Sk hynix, Micron и Samsung.

На последней мы остановимся более детально, ведь её президент и руководитель подразделения памяти Юнг-Бэ Ли (Jung-Bae Lee) подтвердил начало массового производства нового поколения памяти V-NAND, она же 3D NAND, в начале следующего года. Вероятно, речь идет про первый квартал.

«Наша DRAM-память класса 11 нм в настоящее время разрабатывается и находится на пути к достижению самой высокой плотности в отрасли. V-NAND девятого поколения уже готовится к массовому производству в начале следующего года и сможет предложить самое высокое в отрасли число слоев с двухстековой структурой».

Память NAND нового поколения от Samsung будет использовать двухстековую структуру, подразумевающую, как несложно догадаться, наложение двух стеков памяти друг на друга, повышая плотность битовых ячеек, объем микросхем и скорость работы. SK hynix, в свою очередь, скоро начнет производство своей 321-слойной памяти NAND с применением трехстекового дизайна.