Samsung объявила о выходе нового поколения памяти HBM4 к 2025 году

Память HBM не прижилась в потребительском сегменте, но пользуется огромной популярностью в центрах обработки данных и ускорителях высокопроизводительных вычислений, особенно работающих с искусственным интеллектом. Последним поколением этого типа памяти можно считать HBM3E, но в относительно ближайшем будущем это изменится.

Сан Джун Хван (Sang Joon Hwang), исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung, рассказал о текущем положении относительно HBM и заявил, что компания планирует перейти к выпуску нового четвертого поколения этой памяти к 2025 году, которое вновь предложит значительное увеличение пропускной способности, но на этот раз за счет двукратного увеличения шины.

«Samsung начала массовое производство HBM2E и HBM3, затем разработала HBM3E со скоростью 9.8 Гбит/с, которую мы вскоре начнем предлагать клиентам в рамках нашего стремления обогатить экосистему HPC и AI. Заглядывая в будущее, ожидается, что HBM4 будет представлен к 2025 году с такими технологиями, как сборка из непроводящей пленки (NCF) и гибридное медное соединение (HCB)».