Samsung представила микросхемы DDR5 DRAM объемом 32 Гбита

Южнокорейский производитель микросхем оперативной памяти в лице Samsung выпустил пресс-релиз, в котором представил новое поколение DDR5 DRAM, предлагающее значительное увеличение емкости для создания потребительских модулей памяти огромного объема.

Представленные сегодня микросхемы изготавливаются по 12-нм технологическому процессу и предлагают объем 32 гигабита или 8 гигабайт, чего будет достаточно для создания потребительских модулей оперативной памяти объемом вплоть до 128 Гбайт, а установка четырех таких модулей позволит управлять системе 512 Гбайтами оперативной памяти, которая никогда не бывает лишней.

«Благодаря нашей 32-гигабитной DRAM-памяти 12-нм класса мы получили решение, которое позволит создавать модули DRAM емкостью до 1 терабита, что позволяет нам быть в идеальном положении для удовлетворения растущей потребности в DRAM высокой емкости в эпоху искусственного интеллекта», – Санджун Хван (SangJoon Hwang), исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM.

Компания отмечает, что при создании 32 Гбитных микросхем DRAM нет необходимости в использовании Through Silicon Via, при этом общее энергопотребление всего модуля с новой памятью снизится примерно на 10%. Массовое производство назначено на конец этого года.