SK hynix поделилась подробностями о микросхемах 321-слойной памяти 4D NAND TLC

На днях SK hynix опубликовала пресс-релиз с анонсом нового поколения 321-слойной памяти 4D NAND TLC и рассказала больше подробностей во время посещения FMS 2023. Это мероприятие посетили и редакторы японского издания PC Watch, благодаря чему мы можем узнать немного подробностей о новой памяти.

Официальные слайды подтверждают 41% увеличение плотности хранения, 13% снижение задержки при чтении, 12% ускорение работ программ и 10% улучшение энергоэффективности при выполнении операций чтения. Чтобы получить такой прирост, а также создать первую в мире 321-слойную память, инженеры компании использовали три стека со 107 слоями в каждом, при этом для создания 238-слойной памяти используются только два стека, но по 119 слоев.

Сейчас 321-слойные микросхемы памяти 4D NAND TLC находятся в стадии пробного производства и проходят тестирование. Массовое же производство должно начаться во второй половине 2025 года.