SK hynix показала первую в мире 321-слойную память 4D NAND TLC

Южнокорейский производитель микросхем памяти в лице SK hynix объявил о создании первого в мире образца 4D NAND TLC – оперативной памяти нового поколения, использующей 321 слой для достижения объема 1 Тбит. Образец был показан в рамках конференции FMS 2023.

Новое поколение оперативной памяти увеличивает количество годных микросхем с одной пластины на 59% по сравнению с 238-слойной памятью объемом 512 Гбит, а также может предложить двукратное увеличение емкости при неизменных размерах упаковки. Очевидно, что пресс-релиз акцентирует внимание на полезности применения новой памяти в сфере искусственного интеллекта.

К сожалению, SK hynix предпочитает не делиться подробностями относительно нового поколения оперативной памяти 4D NAND TLC, поэтому нам необходимо подождать некоторое время. На данный момент компания уже занимается её производством, но не для массового рынка, а массовое производство ожидается лишь в первой половине 2025 года.