Micron представила память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1.2 Тбайта/с

Производители памяти не хотят упускать возможности заработать за счет повышенного интереса к искусственному интеллекту, для чего представляют новое поколение памяти, способное значительно ускорить процесс обучения при меньших затратах на содержание оборудования.

Micron стала одной из первых, кто представил HBM3 Gen2. Новая память изготавливается по технологическому процессу 1β, предлагает те же 8 слоев, однако её скорость работы была увеличена до 9.2 Гбит/с на контакт, что дает пропускную способность 1.2 Тбайта/с, предлагая заметное превосходство над первым поколением HBM3.

Также компании удалось увеличить объем при неизменном корпусе и улучшить соотношение производительности на ватт. Таким образом, новинка может предложить 24 Гбайта памяти при 2.5-кратном увеличении производительности на ватт. Помимо этого, будет выпущена версия на 36 Гбайт с 12 слоями, при этом её размеры не изменятся.

Внутренние тесты Micron показывают ускорение обучения больших языковых моделей на 30%, позволяя не только быстрее проводить обучение, но и затрачивать меньше энергии, снижая расходы в пятилетнем выражении на $550 миллионов.

Судя по опубликованной дорожной карте, следующее поколение памяти HBM будет выпущено в 2026 году и сможет предложить как увеличение объема до 64 Гбайт на микросхему, так и увеличение пропускной способности, которая превысит 2 Тбайта/с.