В неопределенном будущем Intel перейдет на новый тип транзисторов CFET

Современные технологии изготовления полупроводников только сейчас дошли до того уровня, когда производители начали использовать транзисторы типа GAAFET для создания микросхем. Например, их уже использует Samsung и в скором времени начнут использовать TSMC и Intel, однако последняя предпочитает уже сейчас работать над следующим типом транзисторов.

Intel посетила выставку ITF World 2023 в Бельгии, в рамках которой Энн Келлехер (Ann Kelleher), генеральный директор компании по развитию технологий, показала планы относительно будущих транзисторов, которые будут применяться для создания как собственных, так и заказных микросхем.

Будущий тип транзисторов компания именует как CFET (Complementary FET). Его конструкция подразумевает наложение одного транзистора GAAFET поверх другого, то есть увеличивая количество нанолистов с четырех до восьми, а также увеличение высоты транзистора.

На данный момент транзисторы CFET имеют несколько вариантов исполнения, поэтому нет никакой конкретики относительно того, какой именно вариант будет использовать Intel для своей производственной деятельности. Помимо этого, компания не раскрывает сроки перехода на новые транзисторы.