Samsung работает над памятью HBM3P Snowbolt со скоростью работы 7.2 Гбит/с

Samsung, как и SK hynix, работает не только над памятью DRAM, но и над HBM, которая получила большое распространение в сегменте высокопроизводительных вычислений и дата-центров.

Совсем скоро компания покажет новое поколение памяти, которое получит наименование Snowbolt, что стало известно благодаря заявке на регистрацию товарного знака в Службу поиска патентной информации, она же KIPRIS.

Документ подтверждает, что Samsung занимается регистрацией памяти семейства Snowbolt, которое является памятью HBM3P следующего поколения, о чем компания ранее сама говорила. Согласно дорожной карте, представители Snowbolt будут работать со скоростью до 7.2 Гбит/с на контакт, предлагая 10% улучшение по сравнению с HBM3.

Ожидается, что память Samsung HBM3P поколения Snowbolt будет выпущена в следующем году, о каких-то более конкретных сроках ничего не сообщается.