TSMC объявит о начале массового применения 3-нм техпроцесса на следующей неделе

Согласно слуху, поступающему от тайваньских средств массовой информации, TSMC собирается на следующей неделе провести большое мероприятие у производственной линии Нанке на Тайване. Обычно компания предпочитает проводить публичные мероприятия только в самых крайних случаях и, судя по имеющейся информации, поводом для гулянки станет начало массового производства по 3-нм технологическому процессу.

TSMC обещала начать производство по своему самому современному техпроцессу во втором полугодии этого года, откладывая его из-за не озвученных проблем. Ранее говорилось про начало производства в третьем квартале, но потом оно было перенесено на четвертый. По сути, конец декабря все еще считается четвертым кварталом, поэтому компания сдержит свое слово.

Использование 3-нм технологического процесса TSMC позволит снизить энергопотребление до 30% при неизменной производительности или увеличить производительность до 15% при неизменном энергопотреблении. Какой бы вариант не выбрал заказчик, новый техпроцесс на 33% увеличивает плотность размещения транзисторов по сравнению с 5-нм, однако это не применяется к SRAM, размеры которой останутся практически без изменений.