Samsung разработала микросхемы DRAM со скоростью работы 7200 MT/s

Пока в сегменте NAND Samsung увеличивает стоимость микросхем памяти, в сегменте DRAM компания выпускает пресс-релиз, согласно которому ей удалось разработать микросхемы нового поколения.

Новые микросхемы DRAM от Samsung изготавливаются по 12-нм технологическому процессу с применением литографии с экстремальным ультрафиолетом (EUV). Эти факторы, в совокупности с использованием запатентованных технологий и нового материала, позволили поднять скорость работы микросхем до 7200 MT/s и на 20% увеличить количество продукции с одной кремниевой пластины. Что касается объема, он составляет 16 Гбит или 2 Гбайта.

Помимо улучшения показателя скорости работы, новая память потребляет на 23% меньше энергии по сравнению с микросхемами прошлого поколения. Также компания заявляет о полной совместимости будущих продуктов с устройствами на основе процессоров AMD. Здесь речь может идти о технологии AMD EXPO, позволяющей разгонять модули в автоматическом режиме.

«Наша 12-нанометровая память DRAM станет ключевым фактором, способствующим широкому внедрению DDR5 DRAM. Благодаря исключительной производительности и энергоэффективности наша новая память DRAM послужит основой для таких областей, как вычисления следующего поколения, центры обработки данных и системы на основе искусственного интеллекта», – Джуён Ли (Jooyoung Lee), исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung.

«Инновации часто требуют тесного сотрудничества с отраслевыми партнерами, чтобы раздвинуть границы технологий. Мы очень рады снова сотрудничать с Samsung, особенно в сфере выпуска продуктов памяти DDR5, которые оптимизированы и проверены на платформах Zen», – Джо Макри (Joe Macri), старший вице-президент, корпоративный научный сотрудник и технический директор по работе с клиентами, вычислениям и графике в AMD.

Samsung запланировала массовое производство новых микросхем DRAM, изготовленных по 12-нм технологическому процессу и способных работать со скоростью до 7200 MT/s, на следующий год.