Память Samsung GDDR6W удваивает объем и пропускную способность GDDR6

Современные приложения, особенно связанные с искусственным интеллектом и виртуальной реальностью, требуют большого количества временной памяти для хранения данных. Это является большой проблемой, отважно бороться с которой решила Samsung, выпустив микросхемы памяти нового поколения GDDR6W.

Память нового поколения отличается от простой GDDR6 тем, что в одном корпусе находятся два слоя с кристаллами. Один слой накладывается на другой не через печатную плату, а напрямую при помощи технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging. Такое решение позволило не только удвоить объем одной микросхемы, но и вдвое увеличить пропускную способность, которая теперь достигает 1.4 Тбайта/с при скорости работы 22 Гбит/с.

Также для создания GDDR6W используется технология редистрибутивного слоя (Redistributive Layer), отвечающая за эффективную и очень тонкую разводку. Она, в совокупности с другими изменениями, позволила уменьшить толщину микросхемы с 1.1 мм до 0.7 мм, то есть на 37%.

Стандартизация памяти нового поколения Samsung GDDR6W была завершена во втором квартале этого года, поэтому продукция с её применением должна появиться на рынке совсем скоро.