SK hynix объявила о разработке 238-слойной памяти 4D NAND

На Flash Memory Summit 2022 демонстрируется большое количество как новых твердотельных накопителей, так и наработок производителей микросхем памяти и контроллеров. SK hynix решила не проходить мимо столь важного для компании мероприятия и объявила на нем о разработке 238-слойной памяти 4D NAND.

Недавно компания отгрузила избранным клиентам данную память емкостью 512 Гбит. Она способна увеличить общую производительность на 34% по сравнению со 176-слойной 3D NAND, увеличить скорость передачи данных до 2.4 Гбит/с, что на 50% больше прошлого поколения, снизить энергопотребление на 21% и общую площадь микросхемы.

Изначально 238-слойная память SK hynix найдет применение в клиентских твердотельных накопителях для персональных компьютеров, после чего будут представлены решения для смартфонов и серверов. Старт массового производства ожидается в первом полугодии 2023 года. Также в следующем году компания планирует представить решение с удвоенным объемом.

«SK hynix обеспечила конкурентоспособность на высшем уровне с точки зрения стоимости, производительности и качества, представив 238-слойный продукт на основе своей технологии 4D NAND», – Юнгдал Чой (Jungdal Choi), руководитель отдела разработки NAND в SK hynix.