SK hynix показала оперативную память DDR5 CXL 2.0 объемом 96 Гбайт

SK hynix разработала первые образцы оперативной памяти DDR5 с интерфейсом CXL 2.0, в основе которого расположилось 8 линий интерфейса PCI Express 5.0. Таким образом, компания решила укрепить свое присутствие на рынке памяти нового поколения.

Показанный образец имеет форм-фактор EDSFF E3.S и предназначен для увеличения объема оперативной памяти на 96 Гбайт в серверах с поддержкой стандарта CXL. По сути, новая память является дополнением к устанавливаемым модулям DIMM DDR5, предлагая больший объем и увеличивая пропускную способность. Компания предпочла использовать для создания новой памяти новейший технологический процесс 1-альфа

«Я рассматриваю CXL как возможность создать новый рынок. Мы стремимся к массовому производству продуктов CXL к 2023 году, продолжим разработку передовых технологий DRAM и передовых технологий упаковки для запуска различных продуктов памяти с расширяемой пропускной способностью и емкостью на основе CXL», – Уксонг Канг (Uksong Kang), руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix.

Больше подробностей об оперативной памяти DDR5 CXL 2.0 будет рассказано на FMS 2022 в августе, Intel Innovation в сентябре и Open Compute Project в октябре.