Samsung объявила о выпуске микросхем GDDR6 со скоростью работы 24 Гбит/с

Сегодня Samsung официально объявила о начале массового производства микросхем памяти GDDR6 объемом 16 Гбит или 2 Гбайта, способной работать со скоростью 24 Гбит/с, что на 30% быстрее по сравнению c памятью 18 Гбит/с. Она найдет свое применение в видеокартах следующего поколения, ноутбуках, игровых консолях, приложениях на основе искусственного интеллекта и систем высокопроизводительных вычислений.

Новая память основывается на технологическом процессе 10-нм (1z) третьего поколения с использованием экстремального ультрафиолета (EUV) и передового изоляционного материала High-K Metal Gate, минимизирующего утечки тока. Компания заявляет, что при интеграции новых микросхем с премиальными видеокартами следующего поколения можно будет добиться скорости передачи данных на уровне 1.1 Тбайта/с.

Помимо GDDR6 объемом 2 Гбайта и скоростью работы 24 Гбит/с, Samsung заявляет о выпуске микросхем GDDR6 с пониженным напряжением, предназначенных для увеличения времени работы ноутбуков. Такая память будет работать со скоростью 20 и 16 Гбит/с и напряжением 1.1 В, которое будет регулироваться технологией динамического переключения напряжения (DVS), меняющей рабочее напряжение в зависимости от требований к производительности.