Innosilicon повысила скорость работы памяти LPDDR5X до 10000 Мбит/с

Оперативная память с низким напряжением или LPDDR славится своей популярностью в смартфонах, планшетах, ноутбуках, автомобилях и других устройствах, где необходима высокая скорость работы и низкое энергопотребление в условиях ограниченного пространства.

Сегодня компания Innosilicon объявила о том, что ей удалось создать микросхему LPDDR5X со стабильной скоростью работы 10000 Мбит/с, что на 17% больше, чем предполагает стандарт JEDEC, а именно 8533 Мбит/с. Если сравнивать с простой LPDDR5, то разница и вовсе достигает 56%, так как по стандарту она работает со скоростью 6400 Мбит/с. Также увеличение скорости работы позволило уменьшить задержку на 15%.

Массовое производство микросхем оперативной памяти LPDDR5X-10000 будет опираться на использование технологических процессов 5/7-нм. Скорее всего, первые устройства на основе новой оперативной памяти производства Innosilicon появятся лишь в следующем году.