TSMC представила подробности 2-нм технологического процесса

На конференции 2022 Technology Symposium решила раскрыть большое количество своих планов относительно будущих технологических процессов и технологий. Ранее мы изучали технологию FINFLEX и модификации технологического процесса N3, а теперь поглядим на то, какие изменения принесет технологический процесс N2.

TSMC N2 перейдет на использование транзисторов GAAFET на основе нанолистов. Они имеют каналы, окруженные затвором со всех сторон, что позволяет снизить утечки тока, а расширение или утоньшение каналов увеличивает производительность или энергосбережение соответственно. Новый техпроцесс предложит новую технологию подведения питания с обратной стороны кристалла, своего рода аналогия PowerVia от Intel.

Если говорить о конкретных цифрах, TSMC обещает 10-15% увеличение тактовой частоты или 23-30% уменьшение энергопотребления при неизменных тактовых частотах и увеличение плотности размещения транзисторов на 10% по сравнению с технологическим процессом N3E. Как видим, если плотность изменится не очень сильно, то остальные характеристики вполне радуют.

TSMC обещает начать массовое производство продукции с использованием технологического процесса N2 во второй половине 2025 года, поэтому первые продукты с его применением, скорее всего, увидят свет лишь в 2026 году.