Micron анонсировала 232-слойную память 3D TLC NAND

Micron продолжает вливать большие денежные суммы в разработку и исследования памяти NAND, благодаря чему мы можем сегодня узнать о том, что компании удалось создать 232-слойную память 3D TLC NAND.

Для достижения такого количества слоев компания решила поступить и просто, и сложно одновременно: она наложила два 128-слойных кристалла памяти друг на друга. В процессе “сваривания” кристаллов было утеряно 24 слоя, но в этом, по сути, нет ничего страшного. После процесса слияния кристаллы памяти образуют единую микросхему объемом 1 Тбит или 128 Гбайт. Она помещается на общее основание, где располагается, помимо прочего, подложка и контроллер.

К сожалению, Micron не приводит никаких данных относительно скоростных характеристик таких микросхем, но намекает, что они значительно превосходят существующие решения. Это будет очень кстати с учетом того, что совсем скоро твердотельные накопители с интерфейсом PCI Express 5.0 начнут набирать популярность, где и можно будет применить новую память. Также компания отмечает снижение энергопотребления.

«Мы оптимизировали технологию 232-слойной 3D NAND, чтобы создать самую быструю в мире управляемую память NAND, а также продукты для центров обработки данных и клиентских твердотельных накопителей. Комбинация внутренних и внешних контроллеров является сильным элементом нашей вертикальной интеграции продуктов. Мы оптимизировали технологию NAND и контроллеры так, как нам нужно для создания будущих лидирующих продуктов», – Скотт ДеБоер (Scott DeBoer), исполнительный вице-президент по технологиям и продуктам в Micron.

Старт массового производства 232-слойной 3D TLC NAND памяти назначен на конец текущего года.