Samsung начнет массовое производство по техпроцессу 3GAE в этом квартале

В финансовом отчете Samsung за первый квартал текущего года присутствует увлекательная информация относительно технологического процесса 3-нм или 3GAE (Gate all-round Early). Это первый в мире техпроцесс, в основе которого расположатся транзисторы GAAFET (MBCFET в случае Samsung), подразумевающие существенное увеличение производительности, снижение энергопотребления и увеличение плотности размещения.

Официальное представление технологических узлов 3GAE и 3GAP было около трех лет назад, после чего компания активно работала над ними и теперь, судя по опубликованному отчету, Samsung готова к массовому производству, которое начнется во втором квартале текущего года, то есть в этом квартале и в ближайшее время.

Обещается, что использование транзисторов MBCFET увеличит производительность на 30%, уменьшит энергопотребление на 50% и увеличит плотность размещения транзисторов на 45%, включая сочетание логических и SRAM транзисторов, по сравнению с 7-нм FinFET.

Учитывая, что Samsung 3GAE является ранней производственной технологией, изначально доступ к ней будет не у всех. Скорее всего, компания будет использовать новый техпроцесс для создания собственной продукции, а также сделает его доступным для избранных клиентов.