TSMC планирует начать массовое производство по 2-нм техпроцессу в 2025 году

TSMC, тайваньский полупроводниковый гигант, инвестирует немалые средства в исследование и разработку новых технологических процессов. Ожидается, что в этом году компания начнет массовое производство по 3-нм технологическому процессу на основе транзисторов FinFET, а улучшенная версия в лице N3E появится в следующем году.

Также компания давно работает над технологическим процессом N2, который будет основываться на новом типе транзисторов GAAFET. Сама компания не делилась подробностями относительно характеристик таких транзисторов и их маркетингового наименования, однако Си Си Вэй (CC Wei), генеральный директор TSMC, на этой неделе заявил, что компания планирует начать пробное производство по 2-нм техпроцессу в конце 2024 года, а перейти к массовому к концу 2025 года.

«Наша разработка N2 идет по плану, включая новую структуру транзистора, и соответствует нашим ожиданиям. Все, что я хочу сказать, это то, что в конце 2024 года мы начнем рисковое производство, а массовый выпуск продукции ожидается во второй половине или в конце 2025 года».