Micron начала поставки первых твердотельных накопителей со 176-слойной памятью QLC

Micron, один из крупнейших производителей микросхем DRAM и NAND, начал поставки первых твердотельных накопителей со 176-слойной памятью QLC. Микросхемы QLC со 176 слоями демонстрируют 33% увеличение пропускной способности ввода/вывода и уменьшение задержек чтения до 24% по сравнению с 96-слойной QLC.

Новые микросхемы легли в основу твердотельных накопителей Micron 2400. Они работают за счёт четырёх линий интерфейса PCI Express 4.0, скорость последовательного чтения и записи достигает значений 4500/4000 Мбайт/с, количество операций ввода/вывода составляет 650К/700К для чтения и записи соответственно.

Фирменные накопители будут выпускаться в форм-факторах M.2 2230/2242/2280 объёмом 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайта. Производитель сообщает, что ресурс составит 160 Тбайт для модели на 512 Гбайт и 600 Тбайт для модели на 2 Тбайта. Вероятно, значение выносливости накопителя на 1 Тбайт потеснится где-то между ними.

Необходимо понимать, что память QLC предназначена для твердотельных накопителей бюджетного сегмента, отсюда и относительно невысокая скорость работы по сравнению с более дорогими накопителями, скорость которых может достигать и даже превышать 7000 Мбайт/с. Накопители с такой памятью должны стать отличной заменой жёстких дисков и показывать хорошее соотношение цены и производительности.