Samsung работает над памятью GDDR6 со скоростью работы 20 и 24 Гбит/с

Samsung является одним из крупнейших производителей микросхем памяти для твердотельных накопителей, оперативной памяти и видеокарт или других видов ускорителей. Большую часть ассортимента компании, если мы говорим про GDDR6, составляют микросхемы со скоростью работы 16 Гбит/с, но в скором будущем эта цифра может заметно увеличиться.

В каталоге Samsung были замечены микросхемы памяти GDDR6, способные работать со скоростью 20 Гбит/с (K4ZAF325BC-SC20) и даже 24 Гбит/с (K4ZAF325BC-SC24), что является заметным улучшением скоростной характеристики по сравнению с микросхемами 16 Гбит/с или даже 18 Гбит/с. Они имеют объём 16 Гбит (2 Гбайта) и находятся на стадии тестирования.

Производитель не указывает, когда начнётся массовое производство GDDR6 со скоростью работы 20 и 24 Гбит/с. Можно лишь предположить, что они могут лечь в основу следующего поколения видеокарт AMD RDNA 3 и NVIDIA Ada Lovelace, которые, как ожидается, будут представлены в следующем году.