IBM и Samsung разработали новый вид транзисторов VTFET

Несмотря на то, что мировые производители полупроводников ещё не начали массово использовать транзисторы GAAFET, IBM и Samsung заявили, что совершили прорыв в разработке полупроводников, представив вертикальные транзисторы с наименованием Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).

Их суть состоит в том, чтобы размещать транзисторы не горизонтально, как принято сейчас, а вертикально, что позволяет течь току не из стороны в сторону, а строго вертикально. Такой подход позволяет или вдвое увеличить производительность, или на 85% снизить энергопотребление по сравнению с транзисторами FinFET.

Также такая конструкция позволяет обойти многие ограничения горизонтального расположения транзисторов и снизить энергетические потери, что и позволяет значительно снизить энергопотребление кристаллов, созданных на основе транзисторов VTFET.

Как сообщают компании, использование нового вида транзисторов, в теории, может позволить создать смартфоны, время работы которых составит около недели без подзарядки. Также говорится об улучшении энергоэффективности ресурсоёмких задач, таких как майнинг криптовалюты, например, что сделает этот процесс значительно менее вредным для окружающей среды.

К сожалению, IBM и Samsung не уточняют, когда транзисторы Vertical Transport Field Effect Transistors будут использоваться для создания массовых продуктов.