TSMC и партнеры докладывают о существенном продвижении в освоении 1-нм техпроцесса

В неопределенном будущем использование 1-нм технологического процесса будет считаться нормой, а не чем-то необычным. К сожалению, до того момента ждать ещё довольно много, однако ученые не стоят на месте и подпитывают интерес к техпроцессу уже сейчас, докладывая о своих наработках.

Группа исследователей из TSMC, Национального университета Тайваня и Массачусетского технологического института докладывают о существенном продвижении в освоении 1-нм технологического процесса. Им удалось подобрать необходимую связь материалов для создания транзистора n-типа.

Снижения сопротивления на границе между двумерным полупроводником сульфида молибдена и металлическим контактом для соединения полупроводника с остальными цепями электронной схемы удалось достичь при помощи использования полуметалла висмута в качестве контактного электрода. Использование этих материалов нивелирует барьер Шоттки, который мешает свободному прохождению электрического тока.

Данное открытие было сделано исследователями из Массачусетского технологического института, затем TSMC смогла создать тестовые образцы, используя литографию на основе пучков ионов гелия и “простого процесса осаждения” методом осаждения из газовой фазы в вакуумной камере. Ей, в свою очередь, помогли исследователи из Национального университета Тайваня, которые смогли сфокусировать ионный луч до нанометрового масштаба для создания основы для травления на кристалле.