IBM представила первые в мире микросхемы, изготовленные по 2-нм технологическому процессу

IBM стала первой компанией в мире, которая представила микросхемы, изготовленные по 2-нм технологическому процессу. Тестовая партия микросхем была изготовлена в исследовательской лаборатории Олбани, США. Компания не уточняет используемый тип транзисторов, но их снимок подсказывает, что используются нанолисты GAAFET.

Сообщается, что каждая микросхема имеет площадь 150 мм², каждый миллиметр вмещает в себя 333.3 миллиона транзисторов. Для сравнения: 7-нм техпроцесс TSMC вмещает 91.2 миллиона транзисторов, а 10-нм техпроцесс Intel вмещает 100.8 миллионов транзисторов на аналогичной площади.

Использование 2-нм технологического процесса позволяет увеличить производительность на 45% или снизить энергопотребление на 75% по сравнению с 7-нм техпроцессом. В будущем компания планирует представить более сбалансированное решение в плане потребления и производительности.

«Инновация IBM, отраженная в новом 2-нм чипе, важна для всей полупроводниковой и ИТ-индустрии. Это продукт подхода IBM к решению сложных технологических задач и демонстрация того, как прорывы могут быть результатом устойчивых инвестиций и совместного экосистемного подхода к исследованиям и разработкам», – Дарио Хиль (Darío Gil), старший вице-президент и директор IBM Research.