Samsung разработала первый 512-гигабайтный модуль DDR5 с использованием HKMG

Разработка модулей оперативной памяти следующего поколения не стоит на месте. Все крупные компании работают над тем, чтобы быть готовыми представить свои решения DDR5 к моменту его популяризации. Samsung, один из ведущих производителей микросхем памяти, поделился с общественностью своим последним достижением.

Компания сообщила, что разработала первый в отрасли модуль оперативной памяти DDR5 объемом 512 Гбайт. Этого объема удалось достичь путем использования тридцати двух 16-гигабитных микросхем памяти по 8 слоев каждый. Также примечательно, что модуль использует технологию изоляции High-K Metal Gate (HKMG), которая изначально использовалась для предотвращения утечек тока в логических устройствах. В теории, использование технологии должно увеличить скорость работы.

Что касается характеристик, Samsung не раскрыла никаких подробностей нового типа памяти. Известен только объем и то, что это регистровая память, предназначенная для серверов. К слову, сейчас сервера поддерживают до 4 Тбайт оперативной памяти на сокет, в то время как восемь модулей такой памяти создадут суммарный объем 8 Тбайт, что в два раза больше.

Ожидается, что модули оперативной памяти DDR5 на 512 Гбайт будут использоваться в паре с будущими серверными процессорами AMD EPYC Genoa и Intel Xeon Sapphire Rapids.