Samsung разрабатывает память с интегрированным искусственным интеллектом HBM-PIM

Компания Samsung объявила о разработке первой в мире памяти с интегрированным искусственным интеллектом. По предварительной информации, новый тип памяти более чем в два раза увеличит производительность и снизит энергопотребление более чем на 70%.

Память нового типа получила наименование HBM-PIM. Она создается специально для задач, где требуется работа с большим количеством данных, таких как центры обработки данных, высокопроизводительные вычисления (HPC) и приложениях с поддержкой искусственного интеллекта.

Квангил Парк (Kwangil Park), старший вице-президент по планированию продуктов памяти в Samsung Electronics, заявил: «Наша революционная память HBM-PIM - первое в отрасли программируемое решение PIM, адаптированное для различных рабочих нагрузок, управляемых искусственным интеллектом, таких как высокопроизводительные вычисления, обучение и логические выводы. Мы планируем развивать этот прорыв для создания еще более продвинутых приложений на основе PIM».

Современная память предполагает, что информация в ней будет постоянно перемещаться между памятью и условным графическим процессором. Это создает задержки в работе и снижает эффективность всей системы. Новый вид памяти подразумевает передачу вычислительной мощности туда, где происходит работа с информацией, помещая её в движок искусственного интеллекта, оптимизированного для памяти. Это решение обеспечивает параллельную обработку и минимизирует перемещение данных.

Рик Стивенс (Rick Stevens), заместитель директора лаборатории Argonne по вычислениям, окружающей среде и наукам о жизни, прокомментировал: «Я рад видеть, что Samsung решает проблемы пропускной способности и мощности памяти для высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта. Дизайн HBM-PIM продемонстрировал впечатляющую производительность и прирост мощности в важных классах приложений искусственного интеллекта, поэтому мы с нетерпением ждем совместной работы над оценкой производительности по дополнительным проблемам, представляющим интерес для Аргоннской национальной лаборатории».