Samsung начала массовое производство первой в мире LPDDR5 памяти объемом 16 Гбит

Samsung объявила о старте первого в мире массового производства оперативной памяти типа LPDDR5 объемом 16 Гбит. Массовое производство стартовало на второй производственной линии компании, расположенной в Пхёнтхэке, Южная Корея.

Новая память будет производиться по 10-нм технологическому процессу 1z, в котором применяется технология экстремального ультрафиолетового излучения (EUV). LPDDR5 16 Гбит будет работать на скорости 6400 MT/s, что на 16% быстрее, чем прошлая 12 Гбит LPDDR5 память, которая могла работать только при 5500 MT/s.

«Память 16 Гбит LPDDR5, основанная на технологическом процессе 1z, поднимает отрасль на новый уровень, преодолевая серьезное препятствие на пути развития масштабирования DRAM на продвинутых узлах. Мы продолжим расширять нашу линейку премиальных модулей DRAM и превосходить потребности клиентов, поскольку мы ведем рост общего рынка памяти», – Юнг Бэ Ли (Jung-bae Lee), исполнительный вице-президент подразделения DRAM Product & Technology в Samsung Electronics.

За счет использования третьего поколения 10-нм техпроцесса 1z, микросхемы памяти 16 Гбит LPDDR5 будут на 30% тоньше предшественников. Это позволит разместить большее количество памяти в одном устройстве. В качестве примера приводится следующее сравнение: для достижения объема 16 Гбайт потребуется 12 микросхем памяти прошлого поколения или 8 микросхем памяти нового поколения.

Изначально Samsung будет производить новую память 16 Гбит LPDDR5 только для мобильных устройств, но в следующем году планирует расширить область применения до автомобилей и прочей техники.