TSMC анонсировала улучшенный 12-нм техпроцесс N12e

Компания TSMC обновила ассортимент своих используемых технологических процессов, добавив в список улучшенный 12-нм техпроцесс N12e. Он придет на замену устаревшего 22ULL.

Улучшенный 12-нм техпроцесс позволит увеличить плотность размещения транзисторов на 76%, увеличить рабочую тактовую частоту чипов на 49% или уменьшить энергопотребление на 55% и снизить утечки тока SRAM на 50%. Значительным преимуществом нового 12-нм техпроцесса является то, что транзисторы могут работать при низком напряжении 0.4 В. Это, в свою очередь, положительно скажется на использовании техпроцесса в компактных и портативных устройствах, где необходима высокая автономность.

Использование 12-нм техпроцесса N12e планируется там, где нет острой необходимости в 7-нм и 5-нм техпроцессах, но необходимо низкое энергопотребление и тепловыделение. Например, процессоры с поддержкой 5G, беспроводные наушники, смарт-часы и прочие компактные и портативные устройства.