Samsung объявила о доступности технологии X-Cube для 3D упаковки чипов памяти

В полупроводниковой индустрии стремительно развивается отрасль вертикального расположения компонентов. Производители стараются уменьшить занимаемое чипами место и уменьшить задержки в работе. Вертикальное расположение компонентов или 3D упаковка является идеальным способом решения сразу двух серьезных проблем.

Сегодня компания Samsung заявила о доступности новой технологии X-Cube для 3D упаковки чипов памяти. Технология подразумевает расположение чипов оперативной памяти SRAM на кристалле логики или центральном процессоре. Это значительно уменьшит используемую площадь и задержки в работе.

«Новая технология 3D-интеграции Samsung обеспечивает надежное соединение TSV (Through-Silicon Via) даже на самых передовых технологических узлах EUV. Мы стремимся предлагать больше инноваций в области трехмерных IC, которые могут расширить границы полупроводников», – Мунсу Канг (Moonsoo Kang), старший вице-президент стратегии литейного рынка в Samsung Electronics.

Одной из главных особенностей 3D упаковки Samsung X-Cube является возможность её использования с технологическим процессом 7-нм, 5-нм и менее, то есть она сохранит свою актуальность в будущем. Также сообщается, что при использовании X-Cube производители получат большую гибкость для своих решений и смогут сами регулировать как скорость работы оперативной памяти, так и её объем.

Компания планирует подробнее рассказать об упаковке Samsung X-Cube на ежегодной конференции Hot Chips, которая пройдет с 16 по 18 августа. Там, кстати, Intel будет рассказывать о процессорах Tiger Lake, Xeon Scalable и графике Intel Xe.