Samsung объявила о массовом производстве памяти HBM2E Flashbolt

В марте прошлого года компания Samsung анонсировала следующее поколение HBM2 памяти под названием HBM2E Flashbolt. Основные изменения коснулись объема памяти, который увеличился двукратно, и пропускной способности.

Стеки памяти прошлого поколения памяти HBM2 могли похвастаться объемом 8 ГБит, память нового поколения позволяет создавать стеки объемом 16 ГБит. То есть, если раньше для получения 8 ГБайт памяти необходимо было использовать 8 стеков, то теперь из тех же 8 стеков можно получить 16 ГБайт памяти.

Тактовая частота и пропускная способность памяти существенно возросли. Прошлое поколение памяти работало на частоте 2400 MHz, что давало пропускную способность 307,2 ГБит/с на каждый стек, в то время как новое поколение может похвастаться базовой частотой 3200 MHz с возможность разгона до 4200 MHz, что дает пропускную способность 410 ГБит/с и 538 ГБит/с соответственно.

«С внедрением самой эффективной на сегодняшний день DRAM мы предпринимаем важный шаг, чтобы усилить свою роль ведущего инноватора на быстрорастущем рынке памяти премиум-класса. Samsung будет продолжать выполнять свои обязательства по созданию действительно дифференцированных решений, поскольку мы укрепляем свои позиции на мировом рынке памяти», - Чол Чой (Cheol Choi), вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung. 

Samsung HBM2E Flashbolt будет изготавливаться по 10-нм техпроцессу с использованием 40000 сквозных переходных отверстий (TSV).