Samsung выпустила улучшенную память V-NAND шестого поколения

Samsung объявила о старте массового производства первого твердотельного накопителя формата SATA на 250 ГБ, оборудованного трехбитной (1хх-слойной) памятью V-NAND шестого поколения.

Южнокорейская компания рассказала, что новое поколение памяти построено по технологии "гравирования канальных отверстий", благодаря которой на новом поколении модулей располагается на 40% больше ячеек, по сравнению с предыдущими версиями. С ее помощью Samsung удалось сделать 136-слойные модули с цилиндрическими отверстиями, в которых располагаются 3D ячейки CTF (Charge Trap Flash).

Зачастую, такие многослойные NAND-модули подвержены высокой задержке и ошибкам чтения, однако Samsung удалось разработать особый особый дизайн печатной платы, позволяющий обходить эту проблему. По словам представителей компании, скорость передачи данных новых модулей составляет "менее 450 микросекунд для записи и менее 45 - для операций чтения", что на 10% быстрее, чем у памяти прошлого поколения. Кроме того, новая память потребляет на 15% меньше энергии.

Компания также заявила производство модулей ускорилось на 20% за счет использования новой технологии.