Производители NAND-памяти готовят к выпуску 120/128-слойные модули 3D NAND
DigiTimes опубликовала материал, в котором сообщается, что производители NAND-памяти планируют значительно ускорить выпуск 120/128-слойной 3D NAND продукции, запустив ее массовое производство уже в следующем году. SK Hynix лишь пару месяцев назад начала тестировать 96-слойные 4D NAND Flash модули, а Toshiba и Western Digital уже в то же время планировали выпустить 128-слойные модули, созданные по трехуровневому (TLC) процессу, чтобы избежать проблем более новых, четырехуровневых (QLC) модулей.
![](/upload/iblock/fe6/fe6ff8c0deba201295a7fb6aa75e4b51.jpg)
Решение ускорить ввод нового поколения NAND обусловлен тем, что сейчас на рынке все еще наблюдается значительный переизбыток модулей памяти, по большей части вызванный тем, что модули созданы по устаревшему 64-слойному процессу. Производители намереваются исправить ситуацию на рынке, выпустив более современные и более дорогие модули памяти, тем самым значительно замедлив падение цен.