Производители NAND-памяти готовят к выпуску 120/128-слойные модули 3D NAND

DigiTimes опубликовала материал, в котором сообщается, что производители NAND-памяти планируют значительно ускорить выпуск 120/128-слойной 3D NAND продукции, запустив ее массовое производство уже в следующем году. SK Hynix лишь пару месяцев назад начала тестировать 96-слойные 4D NAND Flash модули, а Toshiba и Western Digital уже в то же время планировали выпустить 128-слойные модули, созданные по трехуровневому (TLC) процессу, чтобы избежать проблем более новых, четырехуровневых (QLC) модулей.

Решение ускорить ввод нового поколения NAND обусловлен тем, что сейчас на рынке все еще наблюдается значительный переизбыток модулей памяти, по большей части вызванный тем, что модули созданы по устаревшему 64-слойному процессу. Производители намереваются исправить ситуацию на рынке, выпустив более современные и более дорогие модули памяти, тем самым значительно замедлив падение цен.