SK Hynix начала массовое производство 128-слойной памяти 4D NAND и уже работает над 176-слойной NAND

SK hynix Inc. анонсировала старт массового производства первой в мире 128-слойной TLC 4D NAND Flash памяти объемом 1 ТБ. Напомним, что всего 8 месяцев назад компания анонсировала выход 96-слойной памяти.

Новые модули памяти могут похвастаться максимальнымколичеством ячеек NAND - cdsit 360 млрд. SK hynix удалось добиться этого результата с помощью технологий ультра-гомогенной вертикальной гравировки и высоконадежной многослойной формации ячеек, а также собственного высокопроизводительного дизайна плат.

Благодаря оптимизации производства, компании удалось ускорить процесс на 5%, добившись при этом перехода на 128 слоя с помощью расположения 32 слоев на существующую 96-слойную память, что, в свою очередь, снизило затраты на исследование на 60%. По сравнению 96-слойной памятью прошлого поколения, производительность новых модулей за каждую полупроводниковую пластину увеличилось еще на 40%. Выйдут новые модули памяти уже во второй половине этого года.

Представители компании также упомянули, что уже начата разработка 176-слойных модулей 4D NAND Flash.