Toshiba представляет первый универсальный флэш-накопитель встроенного типа
Toshiba Memory Corporation, мировой лидер в области решений памяти для техники, начала производство образцов универсального флэш-накопителя Ver 3.0 встроенного типа. Новая линейка использует передовую 96-слойную флэш-память BiCS FLASH 3D и представлена тремя вариантами: 128 ГБ, 256 ГБ и 512 ГБ.
Высокая скорость чтения/записи, а также низкое энергопотребление, делают новинку пригодной для таких устройств как смартфоны, планшеты, системы дополненной/виртуальной реальности и многих других.
Новинки соединили в себе 96-слойную флэш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в стандартном корпусе JEDEC размером 11,5 x 13,0 мм. За счет контроллера успешно проходит исправление ошибок, преобразование логических адресов в физические и управление неисправными блоками для развития упрощенной системы.
Все три варианта нового накопителя совместимы с JEDEC UFS Ver. 3.0, включая HS-GEAR4, чья теоретическая скорость интерфейса достигает 11,6 Гбит/с на дорожку (x2 дорожек = 23,2 Гбит/с). Кроме того, все они поддерживают функции, подавляющие увеличение энергопотребления.
При этом у версии на 512 ГБ, в сравнении с устройствами предыдущего поколения, скорость последовательного чтения/записи выше примернона 70 и 80 %, соответственно.
Высокая скорость чтения/записи, а также низкое энергопотребление, делают новинку пригодной для таких устройств как смартфоны, планшеты, системы дополненной/виртуальной реальности и многих других.
Новинки соединили в себе 96-слойную флэш-память BiCS FLASH 3D и контроллер в стандартном корпусе JEDEC размером 11,5 x 13,0 мм. За счет контроллера успешно проходит исправление ошибок, преобразование логических адресов в физические и управление неисправными блоками для развития упрощенной системы.
Все три варианта нового накопителя совместимы с JEDEC UFS Ver. 3.0, включая HS-GEAR4, чья теоретическая скорость интерфейса достигает 11,6 Гбит/с на дорожку (x2 дорожек = 23,2 Гбит/с). Кроме того, все они поддерживают функции, подавляющие увеличение энергопотребления.
При этом у версии на 512 ГБ, в сравнении с устройствами предыдущего поколения, скорость последовательного чтения/записи выше примернона 70 и 80 %, соответственно.