Первой 10-нм продукцией Intel станет 64-слойная память NAND

Простую память часто выбирают в качестве первого объекта для перехода на более тонкие техпроцессы, за счет пониженного риска брака. Флэш-память NAND – это, по сути, куча транзисторов, да и затраты на НИОКР гораздо ниже, чем в случае изготовления процессора. Именно поэтому неудивительно, что первой продукцией, которую выпустят на новых 10-нм фабриках Intel, станет 64-слойная флэш-память типа 3DNAND для SSD корпоративного сегмента.

Заодно компания введет измененную архитектуру транзистора, получившую название FinFET Hyper Scaling, которая, по заверению производителя, позволит увеличить плотность размещения транзисторов в 2,7 раза.


i2HARD.Telegram