Samsung запустила массовое производство 64-слойных микросхем 3D NAND

Компания Samsung сообщила о запуске массового производства 64-слойных микросхем 3D NAND. Пока что речь идет о производстве чипов 256 Гб, но в скором времени планируется начать производство микросхем 512 Гб. Сообщается также, что новая память обеспечивает скорость передачи данных до 1 Гбит/с.

По заверениям Samsung, новая флеш-память, в сравнении с предыдущими 48-слойными микросхемами, обладает на 30% повышенной производительностью и энергоэффективностью и на 20% увеличенной долговечностью.

По плану Samsung, к концу года количество выпущенных новых микросхем должно составить 50% от общего количество. Кроме того, сообщается, что уже сейчас ведется работа над терабитными чипами с 90 и более слоями.


i2HARD.Youtube