Samsung начала массовое производство памяти V-NAND 9-го поколения

На своем официальном сайте Samsung уведомила пользователей о начале массового производства микросхем памяти V-NAND девятого поколения, предлагающего существенное повышение емкости и скорости работы.

Изначально микросхемы нового поколения будут полагаться на трехуровневые ячейки TLC объемом 1 Тбит или 128 Гбайт, увеличивая плотность на 50% по сравнению с памятью прошлого поколения. Помимо этого, у работяг компании получилось увеличить скорость работы на 33% или до 3.2 Гбит/с, при этом энергопотребление было снижено на 10%, что будет очень полезным в случае горячих накопителей с интерфейсом PCI Express 5.0.

Сейчас Samsung занимается производством V-NAND на основе ячеек TLC, как уже было упомянуто выше, а во второй половине этого года она дополнит предложение четырехуровневой памятью на основе ячеек QLC.