Micron начала массовое производство 232-слойной памяти 3D NAND QLC

Micron, американский производитель микросхем памяти NAND и DRAM, объявил на днях о начале массового производства 3D NAND QLC, насчитывающей 232 слоя и предлагающей очень даже привлекательные характеристики, иногда обходящие 3D NAND TLC от этого же производителя.

Новая память предлагает существенные улучшения по сравнению со 176-слойной QLC, а именно на 50% большую скорость работы на контакт и на 30% большую плотность. Даже по сравнению с 232-слойной TLC новинка предлагает 31% улучшение плотности.

Первым накопителем на основе 232-слойной QLC от Micron стал Crucial 2500, доступный с объемом до 2 Тбайт, со скоростью последовательного чтения и записи до 7100/6000 Мбайт/с при возможности выполнения до 1000К/1000К операций ввода-вывода, демонстрируя до 24% и 31% большую скорость чтения и записи по сравнению со 176-слойной TLC.

Слабой стороной продолжает оставаться количество перезаписанной информации, составляющей 200, 400 и 600 Тбайт в случае накопителя на 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайта соответственно.